Samsung divulga planos de começar produção em massa no processo de 3nm GAAFET em 2021

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A Samsung anunciou planos de que pretende começar a fabricar transistores em massa no processo de 3nm GAAFET (Gate-All-Around Field Effect) em 2021. Além disso, a empresa reiterou que a produção de 7nm EUV realmente começa ainda este ano, no segundo semestre.

A tecnologia GAAFET vai ser uma sucessora do processo FinFET, como explica o Tom’s Hardware. Segundo o site, transistores GAA contam com quatro portas em cada um dos quatro lados de um canal, o que permite superar limitações de escalonamento físico e performance que acontecem no processo FinFET.

A tecnologia GAAFET que a Samsung vai usar em seus transistores é de desenvolvimento próprio, o que mantém a companhia na frente de concorrentes na geração de processos de fabricação de componentes. O processo em 7nm EUV que ainda chega neste ano já está em desenvolvimento em outras gigantes também, como a TSMC e a Global Foundries, mas parece que ainda assim a sul-coreana ainda vai chegar na frente, já tendo desenvolvido uma ferramenta de inspeção de máscara internamente que ainda não tem semelhantes na concorrência. E esse pode ser um dos motivos pra já termos rumores da Nvidia encomendando componentes da Samsung para sua próxima geração de GPUs, ainda em 2020.


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